近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近最終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規模生產。

氮化硅為原料制備氣壓燒結結構件陶瓷的方法，它包括混料、壓制、冷等靜壓、燒結以及后加工的步驟，陶瓷原料以重量百分比計，包括如下組分：Si3N4：80-90％，Y2O3：6-14％，α相Al2O3：1-5％，WC：1-5％，TiC：1-5％。該制備方法步驟簡單、方便易行，制備工藝穩定，生產效率高，利用該方法制備的結構件陶瓷的硬度大、強度高，并且具有較高的耐高溫性能、耐高電壓沖擊性能以及耐彎曲性能，可廣泛用于材料要求高的領域。